Samsung mengeluarkan secara besar-besaran DRAM DDR5 terkecil dalam industri, syarikat itu mengumumkan pada hari Selasa.
DRAM EUV DDR5 14nm baharu hanya 14 nanometer dan menggunakan lima lapisan teknologi ultraungu (EUV) melampau. Ia boleh mencapai kelajuan sehingga 7.2 gigabit sesaat, iaitu lebih daripada dua kali ganda kelajuan DDR4. Samsung juga mendakwa teknologi EUV baharunya memberikan DDR5 DRAM ketumpatan bit tertinggi, sambil meningkatkan produktiviti sebanyak 20% dan mengurangkan penggunaan kuasa sebanyak 20%.
EUV menjadi semakin penting kerana saiz DRAM terus mengecil. Ia membantu meningkatkan ketepatan corak, yang diperlukan untuk prestasi yang lebih tinggi dan hasil yang lebih besar, kata Samsung. Pengecilan ekstrem DDR5 DRAM 14nm tidak dapat dilakukan sebelum menggunakan kaedah pengeluaran argon fluorida (ArF) konvensional, dan syarikat berharap teknologi baharunya akan membantu menangani keperluan untuk prestasi dan kapasiti yang lebih besar dalam bidang seperti 5G dan kecerdasan buatan.
Melangkah ke hadapan, Samsung berkata ia mahu mencipta cip DRAM 24Gb 14nm untuk membantu memenuhi permintaan sistem IT global. Ia juga merancang untuk mengembangkan portfolio DDR5 14nmnya untuk menyokong pusat data, superkomputer dan aplikasi pelayan perusahaan.
